– 推出采用东芝最新一代工艺的U-MOS X-H系列 –
东京–(美国商业资讯)–东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）发布“XK1R9F10QB”，这是一款100V N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，适用于汽车的48V设备应用，例如负载开关、开关电源和电机驱动。出货即日启动。
这款新产品是东芝采用槽形结构的新型U-MOS X-H系列MOSFET中的首款产品，采用该公司的最新[1]一代工艺制造。它采用低电阻TO-220SM(W)封装安装，提供业界领先的低导通电阻[2]，最大导通电阻为1.92mΩ，与当前的“TK160F10N1L”相比下降约20%。这一进步有助于降低设备功耗。由于电容特性得到优化，它还提供更低的开关噪声，从而有助于降低设备的EMI[3]。 此外，将阈值电压宽缩小至1V，可以增强并联时的开关同步性。
应用场合
汽车设备（负载开关、开关电源和电机驱动等）
特性
采用槽形结构的U-MOS X-H系列MOSFET
业界领先的低导通电阻
VGS=10V时，RDS(ON)=1.92mΩ（最大值）
符合AEC-Q101要求
主要规格
| （Ta=25°C时） | ||||||||||
| 产品型号 | 极性 | 绝对最大额定值 | 漏源导通电阻RDS(ON)最大值(mΩ) | 沟道到管壳的热阻Zth(ch-c)最大值(℃/W) | 封装 | 系列 | ||||
| 漏源电压VDSS(V) | 漏电流（直流）ID(A) | 漏电流（脉冲）IDP(A) | 沟道温度Tch(℃) | VGS=6V时 | VGS=10V时 | |||||
| XK1R9F10QB | N沟道 | 100 | 160 | 480 | 175 | 3.31 | 1.92 | 0.4 | TO-220SM(W) | U-MOS X-H |
注：
[1] 截至2020年2月25日
[2] 与具有相同VDSS最大额定值和封装等级的产品进行比较； 根据东芝调查，截至2020年2月25日。
[3] EMI（电磁干扰）
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
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东芝：用于汽车设备的新型100V N沟道功率MOSFET “XK1R9F10QB”。（照片：美国商业资讯）
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