日本川崎–(美国商业资讯)–东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”。这是东芝首款具有此类电压等级的产品，与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件的阵容。
新模块在安装方式上与广泛使用的硅(Si) IGBT模块兼容。它们的低能量损耗特性满足了工业设备对更高效率和更小尺寸的需求，如轨道车辆的转换器和逆变器，以及可再生能源发电系统。
应用
- 轨道车辆的逆变器和转换器
- 可再生能源发电系统
- 电机控制设备
- 高频DC-DC转换器
特点
- 安装方式兼容Si IGBT模块
- 损耗低于Si IGBT模块
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V（典型值）@ID=600A，Tch=25°C
Eon=25mJ（典型值）， Eoff=28mJ（典型值） @VDS=600V，ID=600A，Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V（典型值）@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ（典型值），Eoff=27mJ（典型值）@VDS=900V，ID=400A, Tch=150°C
- 内置NTC热敏电阻
主要规格
| （除非另有规定，否则@Tc=25°C） | ||||
| 部件编号 | MG600Q2YMS3 | MG400V2YMS3 | ||
| 封装 | 2-153A1A | |||
| 绝对 最大 额定值 | 漏-源电压VDSS (V) | 1200 | 1700 | |
| 栅-源电压VGSS (V) | +25/-10 | +25/-10 | ||
| 漏极电流 (DC) ID (A) | 600 | 400 | ||
| 漏极电流（脉冲）IDP (A) | 1200 | 800 | ||
| 沟道温度Tch (°C) | 150 | 150 | ||
| 隔离电压Visol (Vrms) | 4000 | 4000 | ||
| 电气 特性 | 漏-源导通电压（感应） VDS(on)sense典型值(V) | @VGS =+20V, Tch＝25°C | 0.9 @ID＝600A | 0.8 @ID＝400A |
| 源-漏导通电压（感应） VSD(on)sense典型值(V) | @VGS =+20V, Tch＝25°C | 0.8 @IS＝600A | 0.8 @IS＝400A | |
| 源-漏关断电压（感应） VSD(off)sense典型值(V) | @VGS =-6V, Tch＝25°C | 1.6 @IS＝600A | 1.6 @IS＝400A | |
| 开通损耗Eon typ. (mJ) Eon典型值(mJ) | @Tch=150°C | 25 @ VDS=600V, ID=600A | 28 @VDS=900V, ID=400A | |
| 关断损耗Eoff typ. (mJ) Eoff典型值(mJ) | @Tch=150°C | 28 @ VDS=600V, ID=600A | 27 @VDS=900V, ID=400A | |
| 热敏电阻特性 | 额定NTC电阻R典型值(kΩ) | 5.0 | 5.0 | |
| NTC B值 B典型值(K) | ＠TNTC=25 – 150°C | 3375 | 3375 | |
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MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3
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SiC功率器件
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统lsi和hdd产品。
公司在全球各地的2.2万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的合作，促进价值和新市场的共同创造。 东芝电子元件及存储装置株式会社期待在目前超过7,100亿日元（65亿美元）的年度销售额基础上再接再厉，为全人类创造更加美好的未来。
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东芝公司：1200V和1700V的碳化硅(SiC) MOSFET模块支持体积更小、更高效的工业设备。（图示：美国商业资讯）
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