东芝面向移动设备高速接口的新型低电容瞬态抑制二极管提供业界领先的保护性能

东京–(美国商业资讯)–东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出新系列低电容瞬态抑制二极管[1],该二极管用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备等移动设备的高速接口。这些新型二极管提供业界领先[2]的保护性能。该新系列包含10款产品,可为包括USB 3.0/3.1和HDMI在内的高速接口提供防静电放电(ESD)和防噪音保护。出货即日启动。

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该新系列包括5款3.3V产品和5款5.0V产品,用户能够选择与自己系统所需接口电压匹配的产品。这些瞬态抑制二极管采用新开发的EAP-IV工艺[3]制造,而该工艺采用了东芝专有的Snapback技术。与东芝目前产品[4]相比,动态电阻提高了约50%,动态电阻可以吸收静电放电和噪音,因而实现了低箝位电压。此外,与东芝目前产品[4]相比,静电放电耐受性提高了约75%,因而有助于提高系统可靠性。

而且,用户拥有三种封装选择,具体视封装空间而定。“SOD-962 (SL2)”(0.62 x 0.32mm)和“SOD-882(CST2)”(1.0 x 0.6mm)为小尺寸封装,适合于多端口,包括应用日益增多的USB Type-C™。流通型“DFN10”封装(2.5 x 1.0mm)降低了线路产生的电感。

产品系列和主要规格
(@Ta=25 ℃)
产品型号 结构 绝对 最大 额定值 VRWM 最大值 (V) RDYN典型值 @8 to 16A (Ω) VC典型值(V) Ct典型值 @0V, 1 MHz (pF) 封装
VESD (kV) @16 A @30 A
DF2B5M4SL 双向 ±20 3.6 0.5 17 24 0.2 SOD-962
DF2B5M4CT SOD-882
DF2S5M4SL 单向 0.3 14 18.5 0.35 SOD-962
DF2S5M4CT SOD-882
DF10G5M4N 双向 0.5 17 24 0.2 DFN10
DF2B6M4SL 5.5 0.5 18 25 0.2 SOD-962
DF2B6M4CT SOD-882
DF2S6M4SL 单向 0.3 14 18 0.35 SOD-962
DF2S6M4CT SOD-882
DF10G6M4N 双向 0.5 18 25 0.2 DFN10

注 [1] 瞬态抑制二极管(静电放电保护二极管) [2] 具有相同额定功率的产品,截至2016年12月28日。东芝调查。 [3] 东芝原创的ESD阵列工艺IV [4] DF2B7M2SL(EAP-II工艺产品)

*USB Type-C是USB实施者论坛的商标。

有关新产品和东芝瞬态抑制二极管的更多信息,请访问如下链接: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/diode/esd-protection-diode.html

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关于东芝 东芝公司是一家《财富》全球500强公司,致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于三大重点业务领域:更为清洁和安全的维持日常生活的能源业务;保持生活质量的基础设施业务;以及实现先进的信息社会的存储业务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下,东芝竭力推动全球业务,并致力于实现一个让子孙后代可以享有更加美好的生活的世界。

东芝于1875年在东京成立,如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业,全球拥有超过188,000名员工,年销售额逾5.6万亿日元(500亿美元)。(截至2016年3月31日。) 有关东芝的更多信息,请访问www.toshiba.co.jp/index.htm

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东芝面向移动设备高速接口的新型低电容瞬态抑制二极管提供业界领先的保护性能东芝:面向移动设备高速接口的低电容瞬态抑制二极管提供业界领先的保护性能(照片:美国商业资讯)

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