东芝推出具备更高正向浪涌电流的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管

东京–(美国商业资讯)–东芝公司(TOKYO: 6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出第二代650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),该二极管将该公司现有产品所提供的正向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化硅肖特基势垒二极管出货即日启动。

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这些新的碳化硅肖特基势垒二极管采用东芝的第二代碳化硅工艺制造,与第一代产品相比,正向浪涌电流提高了约70%,同时开关损耗指标“RON * Qc” [1]降低了大约30%,这使它们适合应用于高效功率因数校正(PFC)方案中。

这些新产品提供4A、6A、8A和10A 4种额定电流,支持非隔离型“TO-220-2L”封装或隔离型“TO-220F-2L”封装。这些产品有助于提高4K大屏幕液晶电视、投影机和多功能复印机等装置以及通信基站和电脑服务器等工业设备的电源效率。

新碳化硅肖特基势垒二极管的产品阵容及主要规格:
封装 特性 (Ta=25℃) 绝对最大额定值 电气特性
正向 直流 电流 非重复性 峰值正向 浪涌电流 耗散 功率 正向 电压 阴阳极 导通电阻 结 电容 总 电容 电荷
符号 IF(DC) IFSM Ptot VF RON Cj QC
最大值 最大值 最大值 典型值 和最大值 典型值 典型值 典型值
单位 (A) (A) (W) (V) (mΩ) (pF) (nC)
测试条件/ 产品型号 @半正弦波 t = 10 ms @ IF(DC) @ IF(DC) × 0.25-1.0 @ VR= 1V @VR= 400V
非 隔离型 TRS4E65F 4 39 55.6 1.45 (典型值) 120 165 10.4
TRS6E65F 6 55 68.2 82 230 15.1
TO-220 -2L TRS8E65F 8 69 83.3 1.6(最大值) 62 300 19.7
TRS10E65F 10 83 107 48 400 24.4
隔离型 TRS4A65F 4 37 33.6 1.45 (典型值) 120 165 10.4
TRS6A65F 6 52 35.4 82 230 15.1
TO-220F -2L TRS8A65F 8 65 37.5 1.6(最大值) 62 300 19.7
TRS10A65F 10 79 39.7 48 400 24.4

注 [1] RON:阴阳极导通电阻,Qc:总电容电荷

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关于东芝

东芝公司是一家《财富》全球500强公司,致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于三大重点业务领域:更为清洁和安全的维持日常生活的能源业务;保持生活质量的基础设施业务;以及实现先进的信息社会的存储业务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下,东芝竭力推动全球业务,并致力于实现一个让子孙后代可以享有更加美好的生活的世界。

东芝于1875年在东京成立,如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业,全球拥有超过188,000名员工,年销售额逾5.6万亿日元(500亿美元)。(截至2016年3月31日。) 有关东芝的更多信息,请访问www.toshiba.co.jp/index.htm

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东芝推出具备更高正向浪涌电流的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管东芝:具备更高正向浪涌电流的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管(照片:美国商业资讯)

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