东京–(美国商业资讯)–东芝电子元件及储存装置株式会社(TDSC)今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM3K357R”，该产品采用有源箝位结构，漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等电感负载。批量发货即日启动。
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SSM3K357R为驱动器提供防电压浪涌损坏保护，例如电感引起的反电动势。该产品集成有下拉电阻器、串联电阻器和稳压二极管，有助于减少零部件数量并节省电路板空间。
SSM3K357R采用行业标准的SOT-23级封装，具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证，因此适合于汽车和许多其他应用。
应用场合
汽车继电器和螺线管控制
工业继电器和螺线管控制
办公设备离合器控制
特点
适合于驱动电感负载的有源箝位结构
3.0V的低工作电压
通过了AEC-Q101认证
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主要规格 |
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项目 (@Ta=25℃) |
特性 |
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绝对最大额定值 |
漏源极电压 VDSS (V) |
60 |
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栅源极电压 VGSS (V) |
±12 |
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漏极电流 ID (A) |
0.65 |
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电气特性 |
漏源极 导通电阻 RDS(ON)最大值 (mΩ) |
|VGS|=3.0V |
1200 |
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|VGS|=5.0V |
800 |
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栅极总电荷 Qg典型值(nC) |
1.5 |
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输入电容 Ciss典型值(pF) |
43 |
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封装 |
SOT-23F |
2.9mm×2.4mm； t=0.8mm |
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东芝电子元件及储存装置株式会社：一款新的MOSFET “SSM3K357R”，该产品采用有源箝位结构，漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。（照片：美国商业资讯）
东芝电子元件及储存装置株式会社：“SSM3K357R”等效电路（图示：美国商业资讯）
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