东京–(美国商业资讯)–存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社今日已启动其通用闪存(UFS)设备[1]的样品生产，该设备采用东芝存储器株式会社尖端的64层BiCS FLASH™3D闪存。[2] 全新的UFS设备可满足需要高速读取和写入性能及低功耗的应用的性能需求，例如智能手机和平板电脑等移动设备以及增强现实和虚拟现实系统。
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该新系列将提供四种存储容量：32GB、64GB、128GB和256GB。[3] 这些设备均在符合JEDEC标准的单一11.5 x 13mm封装中集成了闪存和控制器。该控制器执行错误校正、耗损均衡、逻辑地址向物理地址的转换以及坏块管理等功能，便于用户简化系统开发。
全部四款设备均符合JEDEC UFS Ver2.1标准，包含HS-GEAR3，每个通道理论接口速度最高可达5.8Gbps（2通道=11.6Gbps），同时不会增加功耗。64GB设备的顺序读取和写入性能[4]分别为900MB/s和180MB/s，而随机读取和写入性能分别比上一代设备[5]提高了约200%和185%。由于采用串行接口，UFS支持全双工，支持在主处理机和UFS设备之间进行并发读取和写入。
* 本文提及的公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。
注
[1] 通用闪存(UFS)是一种产品类别，即一类根据JEDEC UFS标准规范生产的嵌入式存储器产品。
[2] 64GB设备样品发货即日启动，该系列其他产品将在12月之后陆续启动样品发货。
[3] 产品存储密度基于产品内置的内存芯片的密度来确定，而非最终用户数据存储的可用存储器容量。由于开销数据区域、格式设置、坏块及其他制约因素，用户可用容量会减少，根据不同的主机设备和应用，用户可用容量可能也会有所差异。请参考适用的产品规格了解详情。
[4] 读取和写入速度按照1MB/s = 1,000,000字节/秒计算。根据设备、读取和写入条件以及文件大小情况，实际读写速度可能存在差异。
[5] 东芝存储器株式会社上一代64GB设备“THGAF4G9N4LBAIR”
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东芝存储器株式会社：采用64层 BiCS FLASH(TM) 3D闪存的UFS设备（照片：美国商业资讯）
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