东芝推出采用新型封装的汽车用40V N沟道功率MOSFET

公司 每日财经网

— 采用小型低电阻封装,实现更低的导通电阻

东京–(美国商业资讯)–东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”,这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。

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这两款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造,采用小型低电阻封装,具备低导通电阻,因此有助于降低导通损耗。与东芝上一代设计(U-MOS IV)相比,U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声,有助于降低EMI(电磁干扰)。

SOP Advance (WF)封装采用“可沾锡侧翼”(wettable flank)端子结构,支持在焊接之后进行自动光学检测(AOI)

应用场合

  • 电动助力转向系统(EPS)
  • 负载开关
  • 电动泵

特点

  • 由于采用U-MOS IX-H工艺和SOP Advance(WF)封装,实现了0.79mΩ的最大导通电阻(RDS(ON)最大值)。
  • 低噪音特性降低了电磁干扰(EMI)。
  • 采用可沾锡侧翼端子结构,支持小型低电阻封装。

 

主要规格

(除非另作说明,@Ta=25°C)

 

产品型号

 

漏源极
电压
VDSS
(V)

 

漏极
电流
(直流)
ID
(A)

 

漏源极
导通电阻

RDS(ON)最大值(m)

 

栅源极
之间
内置
稳压二极管

 

系列

     

@VGS=6V

 

@VGS=10V

   

TPH1R104PB

 

40

 

120

 

1.96

 

1.14

 

 

U-MOS IX

TPHR7904PB

 

 

150

 

1.3

 

0.79

 

 

U-MOS IX

 

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东芝:采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的汽车用40V N沟道功率MOSFET品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”。(照片:美国商业资讯)

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