该器件使Transphorm的创新常关氮化镓平台用于新一代汽车和三相电力系统成为可能
加州戈利塔–（美国商业资讯）–Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是提供卓越的高效能氮化镓(GaN)功率半导体产品的全球领军企业。公司今天宣布推出其1200伏场效应晶体管仿真模型及初步数据表。TP120H070WS场效应晶体管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，开创了同类产品的先河。它的发布表明Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比，这些应用可受益于1200伏氮化镓器件更高的功率密度及更优异的可靠性、同等或更优越的性能，以及更为合理的成本。Transphorm最近验证了氮化镓器件在100kHz开关频率的5kW 900伏降压转换器中更高的性能。1200伏氮化镓器件实现了98.7%的效率，超过了具有类似额定值的量产SiC MOSFET。
创新的1200伏技术也突显了Transphorm在氮化镓功率转换方面的领先地位。垂直集成、外延所有权和专利工艺，再加上数十年的工程专业知识，使该公司能够将性能最优异的氮化镓器件组合推向市场，并且还在以下四个方面具有重大差异化优势：可制造性、可驱动性、可设计性和可靠性。
PCIM 2023的与会者可以在5月9日至11日期间在7号展厅108号展位通过Transphorm的代表了解更多关于1200伏器件的信息。
初步器件型号规格和访问情况
Transphorm的1200伏技术以经过验证的工艺和成熟的技术为基础，满足了客户在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工艺目前正在LED市场内进行批量生产。此外，1200伏技术充分利用了Transphorm当前器件组合中使用的性能优越、通常关闭的氮化镓平台。
TP120H070WS器件的主要规格包括：
- 70 mΩ RDS（开启）
- 常关
- 高效双向电流
- ± 20 Vmax栅极鲁棒性
- 低4伏栅极驱动抗扰度
- 零QRR
- 3引脚TO-247封装
我们建议将Verilog-A器件型号与SIMetrix Pro v8.5电路模拟器结合使用。LTSpice型号正在开发中，将于2023年第四季度发布。仿真建模有助于实现快速高效的电力系统设计验证，同时还可减少设计迭代、开发时间和硬件投资。
器件型号文件和数据表可在此处下载：https://www.transphormusa.com/en/products/#models。
1200伏场效应晶体管样品预计会于2024年第一季度推出。
Transphorm氮化镓在汽车动力系统和充电生态系统中的应用
1200伏氮化镓器件不但是各种市场应用的理想解决方案，而且也可为汽车系统提供独特的优势。
电动汽车行业，尤其是在大型汽车的更高千瓦节点，在这个十年期的后半段正朝着800伏电池的方向发展。因此，1200伏电源转换开关将会被用于提供所需的性能水平。因此，Transphorm的1200伏平台在新一代车载充电器、DC-DC转换器、驱动逆变器和杆式充电系统方面定会大显身手。
对于使用400伏电池的当前型号的电动汽车，Transphorm提供650伏常关SuperGaN®场效应晶体管，这些晶体管符合AEC-Q101标准，可承受175°C的高温并已批量生产。
Transphorm首席技术官兼联合创始人Umesh Mishra表示：“我们是展示和兑现氮化镓潜能的领先功率半导体公司。我们的专业知识为市场带来了无与伦比的氮化镓器件，这些器件每天都在功率密度、性能和系统成本方面树立新的标准。我们的1200伏技术证明了我们工程团队的创新愿景和决心。我们正在证明，氮化镓可以很轻松地在此前由碳化硅垄断的应用市场中发挥作用，对于我们的业务和氮化镓而言，这为其在市场中的广泛采用开辟了可能性。”
关于 Transphorm
Transphorm，Inc.是氮化镓革命的全球领导者，该公司设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性氮化镓(GaN)半导体。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓IP组合之一，具有1000多项自有或许可的专利，生产了业界首个符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压氮化镓半导体器件。该公司的垂直集成器件商业模式有利于在设计、制造、设备和应用支持等每个开发阶段进行创新。Transphorm的创新使功率电子产品超越了硅的限制，实现了99%以上的效率，使得功率密度增加了50%，系统成本降低了20%。Transphorm总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造业务。如需了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。请通过Twitter @transphormusa以及微信@Transphorm_GaN关注我们。
SuperGaN标志是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
✽本文转载自互联网，请读者仅作参考，并自行核实相关内容(BW)。
