-采用尖端的15纳米工艺NAND闪存芯片-
东京–(美国商业资讯)–东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布推出全球最小级别 [1]嵌入式NAND闪存产品,这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的eMMCTM[2]标准,适用于各种广泛的数字消费产品,包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB产品样品出货即日启动,8GB、32GB、64GB和128GB产品将稍后出货。
新产品在单一封装内整合了采用东芝新一代先进的15纳米工艺技术制造的NAND芯片,以及用于管理NAND应用基本控制功能的控制器。
与同类东芝产品相比[4],通过采用15纳米NAND芯片,封装面积缩小了约26%[3]。由于改进了基本芯片性能,优化了控制器,这些产品还提供更快的读/写速度。读取速度提高约8%(最大值),而写入速度提高将近20%(最大值)。
市场对于能够支持智能手机、平板电脑等应用的NAND闪存的需求继续增长。带控制器的嵌入式内存尤其供不应求,因为此类内存的开发要求最低,且易于整合到系统设计中。东芝正通过增强其高性能和高密度内存产品阵容来满足这种需求,并将继续占据市场领导地位。
新产品阵容 |
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产品名称 |
容量 |
类别 |
封装 |
量产 |
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THGBMFG6C1LBAIL |
8GB |
顶级 |
1.5x13x0.8mm |
2015第二季度(4月-6月) |
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THGBMFG6C1LBAIT |
8GB |
顶级 |
11x10x0.8mm |
2015第二季度(4月-6月) |
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THGBMFG7C2LBAIL |
16GB |
顶级 |
11.5x13x0.8mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG7C2LBAIW |
16GB |
顶级 |
11x10x1.0mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG7C1LBAIL |
16GB |
高端 |
11.5x13x0.8mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG8C4LBAIR |
32GB |
顶级 |
11.5x13x1.0mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG8C4LBAIW |
32GB |
顶级 |
11x10x1.0mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG8C2LBAIL |
32GB |
高端 |
11.5x13x0.8mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG9C8LBAIG |
64GB |
顶级 |
11.5x13x1.2mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG9C8LBAIX |
64GB |
顶级 |
11x10x1.2mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG9C4LBAIR |
64GB |
高端 |
11.5x13x1.0mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFT0CBLBAIS |
128GB |
顶级 |
11.5x13x1.4mm |
2015第二季度(4月-6月) |
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*在东芝的eMMCTM类别中,“顶级”(Supreme)代表适用于高
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