东京–(美国商业资讯)–东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列，新系列减少了76％的导通电阻，实现业界顶级的低导通电阻[1]。此外，它还减少了Qoss[2]的增加，从而提高开关电源的效率。样品出货即日起启动。
注释：
[1] 截至2014年11月4日。东芝调查
[2] Qoss：输出电荷
主要特性
*业界顶级的低导通电阻：0.85mΩ（最大值）
*业界顶级的低RDS(ON)Qoss：60mΩnC
应用
适用于服务器和电信基站的高效开关电源
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主要规格 |
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部件名称 |
封装 |
VDSS (V) |
RDS(ON) 最大值 (mΩ) VGS=10V时 |
Ciss 典型值 (pF) |
Qoss 典型值 (nC) |
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TPHR8504PL |
SOP Advance |
40 |
0.85 |
7370 |
85.4 |
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